Тезис
This document specifies the structure model with related parameters, file format and fitting procedure for characterizing critical dimension (CD) values for wafer and photomask by imaging with a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) by the model-based library (MBL) method. The method is applicable to linewidth determination for specimen, such as, gate on wafer, photomask, single isolated or dense line feature pattern down to size of 10 nm.
Общая информация
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2019-12Этап: Опубликование международного стандарта [60.60]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 202/SC 4ICS :37.020
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00