Résumé
L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
Informations générales
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État actuel: AnnuléeDate de publication: 2002-07Stade: Annulation de la Norme internationale [95.99]
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Edition: 1Nombre de pages: 10
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Comité technique :ISO/TC 201/SC 6ICS :71.040.40
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Révisée par
PubliéeISO 17560:2014
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